浙江精瓷半导体有限责任公司-产品参数

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覆铜陶瓷基板参数 / DBC SUBSTRATE PARAMETERS

材料Type	项目Item	数值（Value）	单位（Unit）
氮化铝陶瓷 AIN Ceramic	厚度 Thickness	0.635,0.5,0.38	mm
	密度 Density	3.3	g/cm³
	导热系数 Thermal Conductivity（25℃）	170	W/m.k
	抗弯强度 Bending Strength	400	Mpa
	介电常数 Dielectric Constant (1MHz）	9.0
	介电损耗 Dielectric Loss （1MHz,25）	0.0003
	击穿电压 Dielectric Strength	20	kV/mm
	电阻率 Resistivity（25℃）	1*1014	Ωcm

材料Type	项目Item	数值（Value）	单位（Unit）
铜 Copper	材质 Material	无氧铜OFHC	mm
铜 Copper	厚度 Copper Thickness	0.40，0.30，0.25，0.20，0.127	mm

类型Type	项目Item	AIN	SI₃N₄	AI₂O₃（96％）	ZTA（ZrO₂9％）
基本性能 General Information	密度 Density（g/cm³）	3.3	3.22	3.75	4.0
	厚度 Thickness （mm）	1.0/0.635/0.38	0.32/0.25	1.0/0.635/0.38	0.32
	粗糙度 Roughness（μm）	Ra≤0.3	Ra≤0.4	Ra≤0.4	Ra≤0.4
力学性能 Mechanical Performance	抗弯强度 Bending Strength（MPa）	450	800	400	700
	弹性模量 Young's modulus （GPa）	320	310	330	310
	维氏硬度 Vickers-hardness（GPa）	11	15	14	15
	断裂韧性 Fracture Toughness（MPa*M¹/²）	3	6.5	3	3.5
热学性能 Thermal Properties	热膨胀系数CTE 10⁻⁶/K（40-400℃）	4.6	2.6	6.7	7.1
热学性能 Thermal Properties	导热率 Thermal Conductivity（W/M*K）25℃	180	85	24	27
电学性能 Electrical Properties	介电常数 Dielectric Constant 1MHz	9.0	9.0	9.8	10.2
	介电损失因子 Dielectric Loss 1MHz	0.2×10⁻³	0.2×10⁻³	0.2×10⁻³	0.2×10⁻³
	电阻率 Resistivity 2℃，（Ω*M）	＞10¹⁴	＞10¹⁴	＞10¹⁴	＞10¹⁴
	击穿强度 Dielectric strength （KV/mm）	＞15	＞15	＞15	＞15

氧化铝陶瓷 Al203 Ceramic	成分 AI2O3 Content	＞96	％
	厚度 Thickness	1.00，0.76，0.63，0.5，0.38，0.32，0.25	mm
	密度 Density	3.78	g/cm³
	导热系数 Thermal Conductivity（25℃）	24	W/m.k
	抗弯强度 Bending Strength	400	Mpa
	介电常数 Dielectric Constant (1MHz）	9.8
	介电损耗 Dielectric Loss （1MHz,25）	0.0003
	击穿电压 Dielectric Strength	15	kV/mm
	电阻率 Resistivity（25℃）	1*10¹⁴	Ωcm

DBC基板性能 DBC Substrate	最大可用面积 Max.Useable area（Max）	127*178	mm
	线距 Line Spacing(Min)	0.5	mm
	线宽 Line Width(Min)	0.5	mm
	热膨胀系数 CTE（Normaly）	7.4*10⁻⁶	K⁻¹
	铜层剥离强度 Peeling Strength（Min）	＞5	N/mm
	可焊性 Solderability	＞95％
	表面处理 Surface Finishing	裸铜/阻焊/镀镍/镀金 Bare Copper/Solder Stop/Ni-Plating/Au-Plating

类型Type	材料Material	AIN	SI₃N₄	AI₂O₃（96％）	ZTA（ZrO₂9％）
铜箔材料性能 Characteristic of Copper Foil	成分 Content	Cu≥99.97%，O₂≤0.003%，Impurity≤0.03%
	导电率 Electrical Conductivity	100％ IACS
	力学性能 Mechanical Properties	硬度 Hardness:HV80-90，抗拉强度Tensile strength:245-345(MPA)
钎料合金性能 Characteristic of Brazing Alloy	材料成分 Content	AgCuTi Alloy, lead-free, compliant with RoHS standards

陶瓷覆铜基板可选材料和铜厚 / AVAILABLE MATERIAL & COPPER THICKNESS

材料 MaterialType	厚度 Thickness（mm）	铜片厚度Copper Thickness（mm）
材料 MaterialType	厚度 Thickness（mm）	0.127	0.2	0.25	0.3	0.4	0.5	0.6	0.8
SI3N4	0.25	——	——	——	——	——	√	——	√
SI3N4	0.32	——	——	——	——	——	√	——	√
AIN	0.32	√	√	√	√	√	——	——	——
	0.38	√	√	√	√	√	——	——	——
	0.64	√	√	√	√	√	——	——	——
	1	√	√	√	√	√	——	——	——
AI2O3	1.0/0.76/0.64 /0.38/0.32	√	√	√	√	√	——	——	——

常规基板可供尺寸 / AVAILABLE SIZE OF STANDARD CERAMIC SUBSTRATE

基板材料 Type	陶瓷基板尺寸 Dimension（时/mm）	铜片厚度 Copper Thickness（mm）
AIN/Si3N4/AI2O3/ZTA	4.5"×4.5"/114.3×114.3	110×110
AIN/Si3N4/AI2O3/ZTA	5.5"×7.5"/139.7×190.5	135×185
说明：电路单元陶瓷小片，将用激光划片分割，尺寸精度≤±0.15mm

测试项目 Testing Items	标准或方法 Standards & Methods	性能指标 Capability （Copper thickness 0.3mm）
空洞率测试Porosity Test	X-ray & SAT	铜层与陶瓷的空洞率Porosity of copper foil and substrate ≤0.3％(50μm Resolution)
铜片初始剥离测试Initial Peeling Test of Copper Foil	IPC-TM650 2.4.8	初始剥离强度Initial Peeling Strength ≥8N/mm
冷热循环测试Thermal Shock Test	GJB548B-2005-1010 ℃ MIL-STD-883J-1010 ℃ （﹣55℃↔+150℃）	AIN≥1000次 Si3N4≥4000次 ZTA≥1000次 Al2O3≥500次
可焊性测试Solderability Test	J-STD-003 TEST A1	焊接面积Welding Area≥97%
说明：冷热循环样板尺寸大小:40X30mm，陶瓷片厚度0.635mm，双面铜片厚度0.3mm。

陶瓷覆铜基板性能测试 / DBC SUBSTRATE'S PERFORMANCE TEST

镀层Plating	Imm Ni: 3μm - 7μm （8％±2％P）
	Imm Au:0.025-0.1μm（Ni-Au，Ni-Pd-Au)
	Imm Ag:0.1-0.5μm
	OSP :0.2-0.6μm
表面粗糙度Roughness	Ra≤3μm; Rz≤7μm;Rmax=20μm
表面平整度Evenness	≤0.3％（根据用户线路图案的不同，平整度可能有变化The evenness may vary due to the different pattern of Circuit.)
说明：可根据用户需求，提供其它镀层和表面粗糙度，以及其它表面处理

表面处理能力 / SURFACE TREATMENT CAPABILITY